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不同可控硅的檢測(cè)方式介紹

　　（一）單向可控硅的檢測(cè)

　　1．判別各電極 根據(jù)普通可控硅的結(jié)構(gòu)可知，其門(mén)極G與陰極K極之間為一個(gè)PN結(jié)，具有單向?qū)щ娞匦裕?yáng)極A與門(mén)極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過(guò)用萬(wàn)用表R×100A或R×1k檔測(cè)量普通可控硅各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極。

　　具體方法是：將萬(wàn)用表黑表筆任接可控硅某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆（kΩ），而另一次阻值為幾百歐姆（Ω），則可判定黑表筆接的是門(mén)極G。在阻值為幾百歐姆的測(cè)量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測(cè)量中，紅表筆接的是陽(yáng)極A，若兩次測(cè)出的阻值均很大，則說(shuō)明黑表筆接的不是門(mén)極G，應(yīng)用同樣方法改測(cè)其它電極，直到找出三個(gè)電極為止。

　　也可以測(cè)任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無(wú)窮大，則兩極即為陽(yáng)極A和陰極K，而另一腳即為門(mén)極G。

　　普通可控硅也可以根據(jù)其封裝形式來(lái)判斷出各電極。例如：

　　螺栓形普通可控硅的螺栓一端為陽(yáng)極A，較細(xì)的引線端為門(mén)極G，較粗的引線端為陰極K。

　　平板形普通可控硅的引出線端為門(mén)極G，平面端為陽(yáng)極A，另一端為陰極K。

　　金屬殼封裝（TO–3）的普通可控硅，其外殼為陽(yáng)極A。

　　塑封（TO–220）的普通可控硅的中間引腳為陽(yáng)極A，且多與自帶散熱片相連。圖8-15為幾種普通可控硅的引腳排列。

　　2．判斷其好壞 用萬(wàn)用表R×1k檔測(cè)量普通可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間的正、反向電阻，正常時(shí)均應(yīng)為無(wú)窮大（∞）若測(cè)得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值較小，則說(shuō)明可控硅內(nèi)部擊穿短路或漏電。

　　測(cè)量門(mén)極G與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時(shí)應(yīng)有類似二極管的正、反向電阻值（實(shí)際測(cè)量結(jié)果較普通二極管的正、反向電阻值小一些），即正向電阻值較小（小于2 kΩ），反向電阻值較大（大于80 kΩ）。若兩次測(cè)量的電阻值均很大或均很小，則說(shuō)明該可控硅G、K極之間開(kāi)路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說(shuō)明該可控硅已失效，其G、K極間PN結(jié)已失去單向?qū)щ娮饔谩?

　　測(cè)量陽(yáng)極A與門(mén)極G之間的正、反向電阻，正常時(shí)兩個(gè)阻值均應(yīng)為幾百千歐姆（kΩ）或無(wú)窮大，若出現(xiàn)正、反向電阻值不一樣（有類似二極管的單向?qū)щ姡瑒t是G、A極之間反向串聯(lián)的兩個(gè)PN結(jié)中的一個(gè)已擊穿短路。

　　3．觸發(fā)能力檢測(cè) 對(duì)于小功率（工作電流為5A以下）的普通可控硅，可用萬(wàn)用表R×1檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，此時(shí)表針不動(dòng)，顯示阻值為無(wú)窮大（∞）。用鑷子或?qū)Ь€將可控硅的陽(yáng)極A與門(mén)極短路，相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓，此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆（具體阻值根據(jù)可控硅的型號(hào)不同會(huì)有所差異），則表明可控硅因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開(kāi)A極與G極的連接（A、K極上的表筆不動(dòng)，只將G極的觸發(fā)電壓斷掉），若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動(dòng)，則說(shuō)明此可控硅的觸發(fā)性能良好。

　　對(duì)不求甚解作電流在5A以上的中、大功率普通可控硅，因其通態(tài)壓降VT、維持電流IH及門(mén)極觸發(fā)電壓VG均相對(duì)較大，萬(wàn)用表R×1檔所提供的電流偏低，可控硅不能完全導(dǎo)通，故檢測(cè)時(shí)可在黑表筆端串接一只200Ω可調(diào)電阻和1~3節(jié)1.5V干電池（視被測(cè)可控硅的容量而定，其工作電流大于100A的，應(yīng)用3節(jié)1.5V干電池），如圖8-17所示。

　　也可以用圖8-18中的測(cè)試電路測(cè)試普通可控硅的觸發(fā)能力。電路中，VT為被測(cè)可控硅，HL為6.3V指示燈（手電筒中的小電珠），GB為6V電源（可使用4節(jié)1.5V干電池或6V穩(wěn)壓電源），S為按鈕，R為限流電阻。

　　當(dāng)按鈕S未接通時(shí)，可控硅VT處于阻斷狀態(tài)，指示燈HL不亮（若此時(shí)HL亮，則是VT擊穿或漏電損壞）。按動(dòng)一下按鈕S后（使S接通一下，為可控硅VT的門(mén)極G提供觸發(fā)電壓），若指示燈HL一直點(diǎn)亮，則說(shuō)明可控硅的觸發(fā)能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明可控硅性能不良、導(dǎo)通壓降大（正常時(shí)導(dǎo)通壓降應(yīng)為1V左右）。若按鈕S接通時(shí)，指示燈亮，而按鈕斷開(kāi)時(shí)，指示燈熄滅，則說(shuō)明可控硅已損壞，觸發(fā)性能不良。

　　（二）雙向可控硅的檢測(cè)

　　1．判別各電極 用萬(wàn)用表R×1或R×10檔分別測(cè)量雙向可控硅三個(gè)引腳間的正、反向電阻值，若測(cè)得某一管腳與其它兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。
　　找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極T1和門(mén)極G3。測(cè)量這兩腳之間的正反向電阻值，會(huì)測(cè)得兩個(gè)均較小的電阻值。在電阻值較小（約幾十歐姆）的一次測(cè)量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門(mén)極G。

　　螺栓形雙向可控硅的螺栓一端為主電極T2，較細(xì)的引線端為門(mén)極G，較粗的引線端為主電極T1。

　　金屬封裝（TO–3）雙向可控硅的外殼為主電極T2。

　　塑封（TO–220）雙向可控硅的中間引腳為主電極T2，該極通常與自帶小散熱片相連。

　　2．判別其好壞 用萬(wàn)用表R×1或R×10檔測(cè)量雙向可控硅的主電極T1與主電極T2之間、主電極T2與門(mén)極G之間的正、反向電阻值，正常時(shí)均應(yīng)接近無(wú)窮大。若測(cè)得電阻值均很小，則說(shuō)明該可控硅電極間已擊穿或漏電短路。
　　測(cè)量主電極T1與門(mén)極G之間的正、反向電阻值，正常時(shí)均應(yīng)在幾十歐姆（Ω）至一百歐姆（Ω）之間（黑表筆接T1極，紅表筆接G極時(shí)，測(cè)得的正向電阻值較反向電阻值略小一些）。若測(cè)得T1極與G極之間的正、反處電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該可控硅已開(kāi)路損壞。

　　3．觸發(fā)能力檢測(cè) 對(duì)于工作電流為8A以下的小功率雙向可控硅，可用萬(wàn)用表R×1檔直接測(cè)量。測(cè)量時(shí)先將黑表筆接主電極T2，紅表筆接主電極T1，然后用鑷子將T2極與門(mén)極G短路，給G極加上正極性觸發(fā)信號(hào)，若此時(shí)測(cè)得的電阻值由無(wú)窮大變?yōu)槭畮讱W姆（Ω），則說(shuō)明該可控硅已被觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向?yàn)門(mén)2→T1。

　　再將黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，用鑷子將T2極與門(mén)極G之間短路，給G極加上負(fù)極性觸發(fā)信號(hào)時(shí)，測(cè)得的電阻值應(yīng)由無(wú)窮大變?yōu)槭畮讱W姆，則說(shuō)明該可控硅已被觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向?yàn)門(mén)1→T2。

　　若在可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通后斷開(kāi)G極，T2、T1極間不能維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)而阻值變?yōu)闊o(wú)窮大，則說(shuō)明該雙向可控硅性能不良或已經(jīng)損壞。若給G極加上正（或負(fù)）極性觸發(fā)信號(hào)后，可控硅仍不導(dǎo)通（T1與T2間的正、反向電阻值仍為無(wú)窮大），則說(shuō)明該可控硅已損壞，無(wú)觸發(fā)導(dǎo)通能力。

　　對(duì)于工作電流以8A以上的中、大功率雙向可控硅，在測(cè)量其觸發(fā)能力時(shí)，可先在萬(wàn)用表的某支表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池，然后再用R×1檔按上述方法測(cè)量。

　　對(duì)于耐壓為400V以上的雙向可控硅，也可以用220V交流電壓來(lái)測(cè)試其觸發(fā)能力及性能好壞。

　　將電源插頭接入市電后，雙向可控硅處于截止?fàn)顟B(tài)，燈泡不亮（若此時(shí)燈泡正常發(fā)光，則說(shuō)明被測(cè)可控硅的T1、T2極之間已擊穿短路；若燈泡微亮，則說(shuō)明被測(cè)可控硅漏電損壞）。按動(dòng)一下按鈕S，為可控硅的門(mén)極G提供觸發(fā)電壓信號(hào)，正常時(shí)可控硅應(yīng)立即被觸發(fā)導(dǎo)通，燈泡正常發(fā)光。若燈泡不能發(fā)光，則說(shuō)明被測(cè)可控硅內(nèi)部開(kāi)路損壞。若按動(dòng)按鈕S時(shí)燈泡點(diǎn)亮，松手后燈泡又熄滅，則表明被測(cè)可控硅的觸發(fā)性能不良。

　　（三）門(mén)極關(guān)斷可控硅的檢測(cè)

　　1．判別各電極 門(mén)極關(guān)斷可控硅三個(gè)電極的判別方法與普通可控硅相同，即用萬(wàn)用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個(gè)電極，其中一次為低阻值（幾百歐姆），另一次為阻值較大。在阻值小的那一次測(cè)量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門(mén)極G，剩下的一只引腳為陽(yáng)極A。

　　2．觸發(fā)能力和關(guān)斷能力的檢測(cè) 可關(guān)斷可控硅觸發(fā)能力的檢測(cè)方法與普通可控硅相同。檢測(cè)門(mén)極關(guān)斷可控硅的關(guān)斷能力時(shí)，可先按檢測(cè)觸發(fā)能力的方法使可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)，即用萬(wàn)用表R×1檔，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，測(cè)得電阻值為無(wú)窮大。再將A極與門(mén)極G短路，給G極加上正向觸發(fā)信號(hào)時(shí)，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通，其A、K極間電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥锠顟B(tài)。斷開(kāi)A極與G極的短路點(diǎn)后，可控硅維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)，說(shuō)明其觸發(fā)能力正常。再在可控硅的門(mén)極G與陽(yáng)極A之間加上反向觸發(fā)信號(hào)，若此時(shí)A極與K極間電阻值由低阻值變?yōu)闊o(wú)窮大，則說(shuō)明可控硅的關(guān)斷能力正常，圖8-21是關(guān)斷能力的檢測(cè)示意圖。

　　也可以用圖8-22所示電路來(lái)檢測(cè)門(mén)極關(guān)斷可控硅的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力。電路中，EL為6.3V指示燈（小電珠），S為轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)，VT為被測(cè)可控硅。當(dāng)開(kāi)關(guān)S關(guān)斷時(shí)，可控硅不導(dǎo)通，指示燈不亮。將開(kāi)關(guān)S的K1觸點(diǎn)接通時(shí)，為G極加上正向觸發(fā)信號(hào)，指示燈亮，說(shuō)明可控硅已被觸發(fā)導(dǎo)通。若將開(kāi)關(guān)S斷開(kāi)，指示燈維持發(fā)光，則說(shuō)明可控硅的觸發(fā)能力正常。若將開(kāi)關(guān)S的K2觸點(diǎn)接通，為G極加上反向觸發(fā)信號(hào)，指示燈熄滅，則說(shuō)明可控硅的關(guān)斷能力正常。

　　（四）溫控可控硅的檢測(cè)

　　1．判別各電極 溫控可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通可控硅相似，因此也可以用判別普通可控硅電極的方法來(lái)找出溫控可控硅的電極。

　　2．性能檢測(cè) 溫控可控硅的好壞也可以用萬(wàn)用表大致測(cè)出來(lái)，具體方法可參考普通可控硅的檢測(cè)方法。

　　圖8-23是溫控可控硅的測(cè)試電路。電路中，R是分流電阻，用來(lái)設(shè)定可控硅VT的開(kāi)關(guān)溫度，其阻值越小，開(kāi)關(guān)溫度設(shè)置值就越高。C為抗干擾電容，可防止可控硅VT誤觸發(fā)。HL為6.3V指示燈（小電珠），S為電源開(kāi)關(guān)。

　　接通電源開(kāi)關(guān)S后，可控硅VT不導(dǎo)通，指示燈HL不亮。用電吹風(fēng)“熱風(fēng)檔”給可控硅VT加溫，當(dāng)其溫度達(dá)到設(shè)定溫度值時(shí)，指示燈亮，說(shuō)明可控硅VT已被觸發(fā)導(dǎo)通。若再用電吹風(fēng)“冷風(fēng)”檔給可控硅VT降溫（或待其自然冷卻）至一定溫度值時(shí)，指示燈能熄滅，則說(shuō)明該可控硅性能良好。若接通電源開(kāi)關(guān)后指示燈即亮或給可控硅加溫后指示燈不亮、或給可控硅降溫后指示燈不熄滅，則是被測(cè)可控硅擊穿損壞或性能不良。
（五）光控可控硅的檢測(cè)

　　用萬(wàn)用表檢測(cè)小功率光控可控硅時(shí)，可將萬(wàn)用表置于R×1檔，在黑表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池，測(cè)量?jī)梢_之間的正、反向電阻值，正常時(shí)均應(yīng)為無(wú)窮大。然后再用小手電筒或激光筆照射光控可控硅的受光窗口，此時(shí)應(yīng)能測(cè)出一個(gè)較小的正向電阻值，但反向電阻值仍為無(wú)窮大。在較小電阻值的一次測(cè)量中，轉(zhuǎn)業(yè)有筆接的是陽(yáng)極A，紅表筆接的是陰極K。
　
　　也可用圖8-24中電路對(duì)光控可控硅進(jìn)行測(cè)量。按通電源開(kāi)關(guān)S，用手電筒照射可控硅VT的受光窗口、為其加上觸發(fā)光源（大功率光控可控硅自帶光源，只要將其光纜中的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器加上工作電壓即可，不用外加光源）后，指示燈EL應(yīng)點(diǎn)亮，撤離光源后指示燈EL應(yīng)維持發(fā)光。

　　若接通電源開(kāi)關(guān)S后（尚未加光源），指示燈EL即點(diǎn)亮，則說(shuō)明被測(cè)可控硅已擊穿短路。若接通電源開(kāi)關(guān)、并加上觸發(fā)光源后，指示燈EL仍不亮，在被測(cè)可控硅電極連接正確的情況下，則是該可控硅內(nèi)部損壞。若加上觸發(fā)光源后，指示燈發(fā)光，但取消光源后指示燈即熄滅，則說(shuō)明該可控硅觸發(fā)性能不良。

　　（六）BTG可控硅的檢測(cè)

　　1．判別各電極 根據(jù)BTG可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可知，其阻極A、陰極K之間和門(mén)極G、陰極K之間均包含有多個(gè)正、反向串聯(lián)有PN結(jié)，而陽(yáng)極A與門(mén)極G之間卻只有一個(gè)PN結(jié)。因此，只要用萬(wàn)用表測(cè)出A極和G極即可。

　　將萬(wàn)用表置于R×1k檔，兩表筆任接被測(cè)可控硅的某兩個(gè)引腳（測(cè)其正、反向電阻值），若測(cè)出某對(duì)引腳為低阻值時(shí)，則黑表筆接的陽(yáng)極A，而紅表筆接的是門(mén)極G，另外一個(gè)引腳即是陰極K。

　　2．判斷其好壞 用萬(wàn)用表R×1k檔測(cè)量BTG可控硅各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，陽(yáng)極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無(wú)窮大；陽(yáng)極A與門(mén)極G之間的正向電阻值（指黑表筆接A極時(shí)）為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的正、反向電阻值均很小，則說(shuō)明該可控硅已短路損壞。

　　3．觸發(fā)能力檢測(cè) 將萬(wàn)用表置于R×1檔，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，測(cè)得阻值應(yīng)為無(wú)窮大。然后用手指觸摸門(mén)極G，給其加一個(gè)人體感應(yīng)信號(hào)，若此時(shí)A、K之間的電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥柚担〝?shù)歐姆），則說(shuō)明可控硅的觸發(fā)能力良好。否則說(shuō)明此可控硅的性能不良。

　　（七）逆導(dǎo)可控硅的檢測(cè)

　　1．判別各電極 根據(jù)逆導(dǎo)可控硅內(nèi)部結(jié)構(gòu)可知，在陽(yáng)極A與陰極K之間并接有一只二極管（正極接K極），而門(mén)極G與陰極K之間有一個(gè)PN結(jié)，陽(yáng)極A與門(mén)極之間有多個(gè)反向串聯(lián)有PN結(jié)。

　　用萬(wàn)用表R×100檔測(cè)量各電極之間的正反向電阻值時(shí)，會(huì)發(fā)發(fā)有一個(gè)電極與另外兩個(gè)電極之間正、反向測(cè)量時(shí)均會(huì)有一個(gè)低阻值，這個(gè)電極就是陰極K。將黑表筆接陰極K，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極，顯示為低阻值的一次測(cè)量中，紅表筆接的是陽(yáng)極A。再將紅表筆接陰極K，黑表筆依次觸碰另外兩電極，顯示低阻值的一次測(cè)量中，黑表筆接的便是門(mén)極G。

　　2．測(cè)量其好壞 用萬(wàn)用表R×100或R×1k檔測(cè)量反向?qū)煽毓璧年?yáng)極A與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時(shí)，正向電阻值（黑表筆接A極）為無(wú)窮大，反向電阻值為幾百歐姆至幾千歐姆（用R×1k檔測(cè)量為7kΩ左右，用R×100檔測(cè)量為900Ω左右）。若正、反向電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明可控硅內(nèi)部并接的二極管已開(kāi)路損壞。若正反向電阻值為很小，則是可控硅短路損壞。

　　正常時(shí)反向?qū)煽毓璧年?yáng)極A與門(mén)極G之間的正、反向電阻值均為無(wú)窮大。若測(cè)得A、G極之間的正、反向電阻值均很小，則說(shuō)明可控硅的A、G極之間擊穿短路。

　　正常時(shí)反向?qū)煽毓璧拈T(mén)極G與陰極K之間的正向電阻值（黑表筆接G極）為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得其正、反向電阻值均為無(wú)窮大或均很小，則說(shuō)明該可控硅G、K極間已開(kāi)路或短路損壞。

　　3．觸發(fā)能力檢測(cè) 反向?qū)煽毓璧挠|發(fā)能力的檢測(cè)方法與普通可控硅相同。用萬(wàn)用表R×1檔，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K（大功率可控硅應(yīng)在黑表筆或紅表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池）,將A、G極間瞬間短路，可控硅即能被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表上的讀數(shù)會(huì)由無(wú)窮大變?yōu)榈妥柚怠Ｈ舨荒苡蔁o(wú)窮大變?yōu)榈妥柚担瑒t說(shuō)明被測(cè)可控硅的觸發(fā)能力不良。

　　（八）四端可控硅的檢測(cè)

　　1．判別各電極 四端可控硅多采用金屬殼封裝，圖8-25是其管腳排列底視圖。從管鍵（管殼上的凸起處）開(kāi)始看，順時(shí)針?lè)较蛞来螢殛帢OK，陰極門(mén)極GK、陽(yáng)極門(mén)極GA、陽(yáng)極A。

　　2．判斷其好壞 用萬(wàn)用表R×1k檔，分別測(cè)量四端可控硅各電極之間的正、反電阻值。正常時(shí)，陽(yáng)極A與陽(yáng)極門(mén)極GA之間的正向電阻值（黑表筆接A極）為無(wú)窮大，反向電阻值為4~12kΩ；陽(yáng)極門(mén)極GA與陰極門(mén)極GK之間的正向電阻值（黑表筆接GA）為無(wú)窮大，反向電阻值為2~10 kΩ；陰極K與陰極控制極GK之間的正向電阻值（黑表筆接K）為無(wú)窮大，反向電阻值為4~12 kΩ。

　　若測(cè)得某兩極之間的正、反向電阻值均較小或均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該可控硅內(nèi)部短路或開(kāi)路。

　　3．觸發(fā)能力檢測(cè) 用萬(wàn)用表R×1k檔，黑表筆接隨時(shí)隨地極A，紅表筆接陰極K，此時(shí)電阻值為無(wú)窮大。若將K極與陽(yáng)極門(mén)極GA瞬間短路、給GA極加上負(fù)觸發(fā)脈沖電壓時(shí)，A、K極間電阻值由無(wú)窮大迅速變?yōu)榈妥柚担瑒t說(shuō)明該可控硅GA極的觸發(fā)能力良好。
　
　　斷開(kāi)黑表筆后，再將其與陽(yáng)極A連接好，紅表筆仍接陰極K，萬(wàn)用表顯示阻值為無(wú)窮大。若將A極與GK極瞬間短路，給GK極加上正向觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅A、K極之間的電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥柚担瑒t可判定該可控硅GK極的觸發(fā)能力良好。

　　若將K、GA極或A、GA極短路時(shí)，A、K極之間的電阻值極仍為無(wú)窮大，則說(shuō)明該可控硅內(nèi)部開(kāi)路損壞或性能不良。

　　4．關(guān)斷性能檢測(cè) 在四端可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，若將陽(yáng)極A與陽(yáng)極門(mén)極GA或陰極K與陰極門(mén)極GK瞬間短路，A、K極之間的電阻值由低阻值變?yōu)闊o(wú)窮大，則說(shuō)明被測(cè)可控硅的關(guān)斷性能良好。

　　5．反向?qū)ㄐ阅軝z測(cè) 分別將可控硅的陽(yáng)極A與陽(yáng)極門(mén)極GA、陰極K與陰極門(mén)極短接后，用萬(wàn)用表R×1k檔、黑表筆接A極，紅表筆接K極，正常時(shí)阻值應(yīng)為無(wú)窮大；再將兩筆對(duì)調(diào)測(cè)量，K、A極間正常電阻值應(yīng)為低阻值（數(shù)千歐姆）。